三星完成12层3D硅穿孔堆叠单片HBM存储容量提至24GB

跟着集成电路规划的扩展，如安在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为应战，其间多芯片堆叠封装被认为是现在最好的解决方案，究竟半导体微缩的开发进度现已赶不上运用需求。

三星电子在10月7日正式发布，该公司首先开宣布12层3D-TSV(硅穿孔)技能，DRAM芯片经过60000个TSV孔衔接，每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

三星表明这种12层的总封装厚度为720μm，与当时8层堆叠的HBM2存储芯片相同。意味着客户不需要改动内部规划，就可以取得更大容量的芯片。并且3D堆叠也有助于缩短数据传输的时刻，进步带宽、传输功能。

三星泄漏，这种根据12层3D TSV技能的HBM存储芯片将很快量产，单片容量从8GB提升到24GB。